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深圳市汇创佳电子科技有限公司
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF3205PBF
描述
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
扩展描述
N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
110A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
146nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
3247pF @ 25V
Vgs（值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（值）
200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
8 毫欧 @ 62A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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